日本半導體 EUV 技術落敗艾司摩爾 專家揭關鍵失誤

曾主導半導體露光裝置市場的日本企業，在極紫外光刻（EUV）技術的開發上，徹底輸給了荷蘭的艾司摩爾（ASML），這不單是商業模式的失敗，更是技術發展未能達到量產水準的挫敗。學習院大學教授柴田友厚（Tomohisa Shibata）分析，日本半導體產業在 EUV 技術上的落敗，主要歸因於兩大關鍵因素。

EUV，即「極紫外光刻技術」，是製造尖端半導體晶片的關鍵核心，能刻畫出更精細的電路。而艾司摩爾，這家荷蘭半導體設備製造商龍頭，不僅成功將 EUV 技術推向實用化，更確立其在量產線上的應用，成為全球獨家的極紫外光刻機供應商。

柴田友厚指出，日本企業敗因之一是「執拗性劣化」。EUV 技術開發需耗費二十多年，並伴隨「死亡之谷」般的技術瓶頸與延宕。在面對內外部批評聲浪和投資壓力時，日本企業缺乏持續說服、堅定目標並堅持不懈的能力。企業未能堅持長期投入，導致技術難以突破到可量產的階段。

另一個敗因是「自前主義的陷阱」。艾司摩爾在技術開發過程中，充分發揮自身優勢，同時積極引進外部技術與人才，推動開放創新。反觀日本企業，在技術開發上過度傾向單獨完成，與外部的合作交流顯得不足。

艾司摩爾的成功，正是其在面對技術挑戰時，展現出不懈的「執拗性」，以及善用外部資源的「開放創新」策略。日本在半導體技術發展上的經驗教訓，為全球半導體產業提供了值得借鑒的案例。