重磅合作！傳輝達指定三星HBM底層晶片 採台積電3奈米製程
三星電子將採用台積電3奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的核心元件底層晶片（Base Die）。業界人士指出，輝達已要求三星、SK海力士及美光三大供應商，統一採用台積電3奈米製程製造底層晶片，並將核心記憶體晶片統一採用第六代DRAM製程1c，以確保不同供應商產品的效能一致。
圖片來源：AI 生成示意圖／蕃新聞| 比較項目 | 親藍 | 中立 | 親綠 |
|---|---|---|---|
| 報導焦點 | 輝達要求統一底層晶片製程 | 共同設計基礎晶粒及客製控制器 | NVHBM委外，標準HBM維持自製 |
| 共同事實 | 三星NVHBM基礎晶粒傳採台積電3奈米 | 三星NVHBM基礎晶粒傳採台積電3奈米 | 三星NVHBM基礎晶粒傳採台積電3奈米 |
| 立場差異 | 著重輝達指定製程與三星配合 | 補充共同設計及首度合作可能 | 強調標準型HBM仍由三星自製 |
三星電子將採用台積電3奈米製程，生產輝達下一代客製化高頻寬記憶體（HBM）的核心元件底層晶片（Base Die）。業界人士指出，輝達已要求三星、SK海力士及美光三大供應商，統一採用台積電3奈米製程製造底層晶片，並將核心記憶體晶片統一採用第六代DRAM製程1c，以確保不同供應商產品的效能一致。
經濟日報引述韓媒稱，輝達與三星、台積電共同設計NVHBM基礎晶粒，並要求採台積電3奈米，以容納客製記憶體控制器。
中央社稿引述首爾經濟日報稱，三星同意為輝達下一代客製HBM採台積電製程，但標準HBM及其他客戶產品仍維持自有模式。
首爾經濟日報引述產業人士稱，輝達要求三星、SK海力士及美光的NVHBM基礎晶粒採台積電製程；三星將使用3奈米製造，可能首度在HBM製造階段與台積電合作。
南韓媒體週日（18日）報導，南韓兩大記憶體巨頭之一的三星電子，將委託台積電使用3奈米製程，生產輝達（Nvidia）所需要的客製化高頻寬記憶體（HBM）。
