TetraMem完成全新12nm AI SoC投片，推進類比記憶體運算技術發展

(中央社訊息服務20261029 17:13:30)藉助Synopsys雲端賦能的EDA解決方案，將以多層RRAM為基礎的AI晶片開發擴充至先進FinFET節點 矽谷類比記憶體運算(A-IMC)領域的先驅TetraMem宣布，全球首款以多層RRAM技術為基礎的12nm A-IMC系統級晶片(SoC)——MLX300已成功投片。該SoC藉助由Synopsys Cloud FlexEDA提供支援的業界一流EDA解決方案開發而成，這一里程碑代表該架構向先進節點、可量產運算邁出了重要一步。 TetraMem執行長兼共同創辦人Glenn Ge表示：「TetraMem的架構透過將儲存與運算融合，代表了一種全新的AI運算方式。透過Synopsys Cloud利用Synopsys EDA解決方案，對於實現高效的全球合作、加快我們從研發創新到可製造晶圓的進程扮演了至關重要的角色。」 MLX300的投片緊隨TetraMem近期發表的、採用商用22nm製程製造的MLX200/MLX200M多層RRAM A-IMC SoC之後，代表公司在2026年實現了兩次成功的全遮罩投片。這兩款設計均採用透過Synopsys Cloud FlexEDA交付的Synopsys EDA解決方案，使得TetraMem位於在美國和新加坡的工程團隊能夠實現高效分散式開發，同時顯著提升設計效率並縮短迭代週期。例如，TetraMem將整體設計環境的建置時間從數周縮短至幾分鐘，並且相較於在地部署方式，其暫存器傳輸級(RTL)驗證模擬速度提升了3倍。 Synopsys EDA產品管理與策略資深副總裁Sanjay Bali表示：「TetraMem在類比記憶體運算領域的工作，體現了釋放下一波AI效能與效率所需的大膽創新。Synopsys欣然透過雲端賦能的設計解決方案、先進的EDA技術以及經過驗證的IP來支援TetraMem，協助加快下一代AI硬體的開發。」 TetraMem獨特的架構實現了針對下一代AI加速器的可擴充開發，旨在大幅提升每瓦特效能並減少資料搬移瓶頸。MLX300在此基礎上建構，是一款適用於音訊、視覺和小型語言模型的通用單晶片加速器，支援在晶片上儲存多達6400萬個INT4參數，無需外部DRAM進行模型權重儲存。該SoC的目標能效超過50–80 TOPS/W，展現了以RRAM為基礎的類比運算為下一代AI推理帶來顯著能效提升的潛力。 關於TetraMem TetraMem是一家矽谷AI半導體公司，致力於開發以多層RRAM（憶阻器）為基礎的類比記憶體運算技術，以大幅提升AI的能效和可擴充性。 免責聲明：本公告之原文版本乃官方授權版本。譯文僅供方便瞭解之用，煩請參照原文，原文版本乃唯一具法律效力之版本。

請前往 businesswire.com 瀏覽源版本: https://www.businesswire.com/news/home/20261027546703/zh-HK/

CONTACT: 媒體連絡人： Glenn Ge pr@tetramem.com