(中央社訊息服務20261027 17:27:15)致力於提供超高密度、低功耗片上儲存技術的新創公司RAAAM Memory Technologies今日宣布，聘請曾任Intel Foundry和三星電子高階主管的Hong Hao擔任策略顧問。在這一職位上，Hong Hao將與RAAAM的高階主管團隊緊密合作，助力公司的策略成長，並加速其在美國市場與客戶及生態系統合作夥伴的業務接洽。
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Hong Hao在半導體產品開發、全球代工業務及商業拓展領域擁有超過30年的領導經驗。他先前曾擔任Intel Foundry業務全球業務拓展與銷售的企業副總裁兼總經理，負責領導整體業務拓展策略及全球客戶參與的執行工作。
在加入英特爾之前，他曾擔任三星北美代工業務高級副總裁兼負責人，負責商業策略、客戶參與、行銷、技術支援以及代工生態系統的建構與發展。在三星系統LSI事業部任職期間，他亦負責管理針對行動裝置及資料中心架構所開發的高效率、高性能ARM架構單晶片系統（SoC）產品的工程執行工作。
在數十年的職業生涯中，Hong Hao在建立關鍵客戶關係、推動半導體業務成長以及指導複雜的SoC和ASIC專案方面，積累了豐富的經驗。他在代工管理、IP整合以及合作夥伴賦能等領域的深厚專長，對於RAAAM擴大策略布局和推動商業發展將具有不可估量的價值。
「Hong Hao是備受推崇的產業資深人士，在拓展代工生態系統和推動商業成長方面擁有成功經驗。」RAAAM Memory Technologies共同創辦人暨執行長Robert Giterman表示，「在晶片設計人員面臨SRAM微縮及功耗限制等嚴峻挑戰之際，RAAAM的GCRAM技術提供了一項關鍵且高性價比的突破。隨著我們不斷深化與美國各大半導體公司及生態系統合作夥伴的合作，Hong Hao所提供的策略指導將具有不可估量的價值。」
「RAAAM創新的GCRAM技術解決了現代SoC設計中最緊迫的瓶頸之一，它利用標準CMOS製程實現了超高儲存密度和能效。」Hong Hao表示，「我很高興能在RAAAM發展的關鍵階段為其提供建議。該團隊打造出了一項極具顛覆性的解決方案，我期待協助他們拓展業務版圖，並深化其與美國乃至全球半導體業界的關係。」
透過此次策略性任命，RAAAM重申了其致力於提供新一代片上儲存解決方案的承諾。此方案能夠幫助晶片製造商在不改變標準製造流程的前提下，縮小晶片面積、降低功耗、削減製造成本，並提升晶片效能。
關於RAAAM Memory Technologies Ltd.
RAAAM開發出半導體產業中最具成本效益的片上儲存技術，相較於高密度SRAM，可節省多達50%的面積，並將功耗降低多達3倍。其專利GCRAM技術可作為單晶片系統（SoC）中SRAM的直接替代方案，且與標準CMOS製程完全相容，讓設計人員能夠在更小的晶片面積和更低功耗的前提下，整合更多的儲存容量。
瞭解有關RAAAM的更多資訊 - https://raaam-tech.com
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