寬能隙半導體結合矽光子 國際論壇聚焦AI時代產業新契機

(中央社訊息服務20261016 15:50:04)

本月15日，由高功率元件應用研發聯盟舉辦「2026功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇」，邀請國內外產學研專家，分享寬能隙半導體與矽光子的最新技術發展與應用趨勢，期望推動我國相關產業升級，並促進國際交流與合作。

在全球淨零轉型、人工智慧快速發展與供應鏈重組的趨勢下，提升能源效率與強化關鍵技術自主，已成為各國科技與產業布局的重要課題。碳化矽（SiC）與氮化鎵（GaN）等寬能隙半導體，具備高耐壓、高頻切換、低能量損耗及高功率密度等特性，已加速應用於電動載具、AI伺服器與資料中心、再生能源、儲能與快充、低軌衛星及5G／6G通訊等領域。同時，AI運算與高速通訊需求持續成長，亦帶動矽光子技術朝高速傳輸、低功耗與高整合方向發展，成為提升資料中心與先進運算效能的重要技術。

本屆論壇邁入第11屆，今年邀請國際矽光子異質整合聯盟加入，並邀請7位來自產業界與研究機構的重要講者蒞臨分享，包含鴻海精密工業蕭逸楷組長、意法半導體周光祖總監、穩懋半導體黃智文資深協理、日商駿河精機吳堂榮總裁、晟宇康科技舒映舜專案經理、合晶寬能徐文浩總經理，以及集邦科技王偉儒資深分析師。演講內容聚焦SiC與GaN最新技術進展、應用實務及市場布局，並納入矽光子技術與應用發展等前瞻議題，涵蓋材料、元件、封裝、系統應用到產業研究的完整面向，吸引產官學研界廣泛參與。

另為培育新生代人才，論壇同步舉辦學生論文海報競賽，鼓勵青年投入創新研發。今年共有來自銘傳大學、國立成功大學、國立清華大學、國立陽明交通大學、國立臺灣大學、國立臺灣科技大學、中原大學及國立臺南大學等8所學校的學生團隊參與，展現在功率半導體及相關應用領域的研究成果。主辦單位將頒發獎金及獎狀，以表彰青年學子的研究創新，並鼓勵投入產業發展。

主辦單位表示，隨著應用場域持續擴大，產業發展重點已由單一元件性能提升，延伸至封裝模組、光電整合、系統應用、可靠度驗證及供應鏈韌性。聯盟自2015年成立以來，已集結逾80家產學研夥伴，涵蓋材料、元件、模組及終端應用等完整產業鏈。未來將持續推動國際交流與國內產學研合作，整合上下游產業能量，並關注矽光子與功率半導體在AI及高速通訊領域的整合契機，協助臺灣掌握新興市場與技術轉型趨勢，提升國際競爭力。