美國大型國防承包商諾斯洛普格魯曼（Northrop Grumman）日前宣布，預計將於十年底前，把其在美國本土的半導體生產能力提升四倍，以強化國防關鍵技術的供應鏈穩定性。《Armyrecognition.com》報導指出，此舉旨在降低美國軍方對海外半導體供應的依賴，特別是考量到台灣在全球半導體供應鏈中的關鍵地位，以及涉及中國的地緣政治緊張局勢。
諾斯洛普格魯曼的微電子中心（Microelectronics Center）在加州和馬里蘭州設有兩座半導體晶圓廠，並在佛州設有先進封裝設施。該公司目前每年設計、製造、組裝、測試並封裝數百萬個微電子元件。這些設施尤其專精於生產氮化鎵（gallium nitride）、砷化鎵（gallium arsenide）和磷化銦（indium phosphide）等化合物半導體材料，這些材料是高頻雷達、衛星通訊及功率放大等國防應用中不可或缺的元件。
這些半導體在國防科技中扮演關鍵角色，被廣泛應用於如 F-35閃電II戰鬥機（F-35 Lightning II）的 AN/APG-81 雷達，以及供應給美國海軍陸戰隊（U.S. Marine Corps）的 AN/TPS-80 地空任務導向雷達（G/ATOR）。其中 G/ATOR 雷達便採用了適合高功率、高頻率應用的氮化鎵元件。諾斯洛普格魯曼在加州雷東多比奇（Redondo Beach）更負責製造用於雷達及電信應用的單片微波積體電路。
擴大美國本土的半導體產能，有助於減少軍事供應鏈上游元件短缺的風險。根據政府審計辦公室（U.S. Government Accountability Office）的資料顯示，美國在全球晶圓製造能力的佔比已從 1990 年的 37% 下降到 2024 年的不到 10%。此外，2022 年約有四分之三的半導體生產與封裝都在亞洲進行，其中部分邏輯與記憶體晶片更是高度集中在台灣和南韓。諾斯洛普格魯曼認為，透過擴大專用半導體及先進封裝的國內生產，將能有效降低美國在雷達、電子戰、安全通訊和軍事感測器等特定領域的風險。
除了諾斯洛普格魯曼，美國的半導體代工廠格芯（GlobalFoundries）也在五角大廈（Pentagon）的協議下，為軍事和航太應用生產矽基半導體。美國 Defense Microelectronics Activity 負責監督精選敏感系統的可靠供應商及製造流程，以確保軍用微電子元件的安全無虞。
