美光訂單確保產能，記憶體晶片短缺恐延續至2028年

全球記憶體晶片短缺問題預計將持續至2028年，主要原因是供應商美光科技（Micron Technology）已預先向買家承諾，其2027財年超過四分之三的產能。這項消息揭示了市場對記憶體元件的強勁需求，特別是來自人工智慧（AI）基礎設施、資料中心及消費性電子產品領域。

根據《BriefAsia》報導，美光科技公布其2026財年第四季營收達到542.3億美元，較去年同期113.2億美元大幅成長近五倍，創下歷史新高，並超越分析師預期。此業績反映了記憶體市場的回溫，以及客戶為確保未來供應而提早下訂的行為，這通常是供應長期稀缺的跡象。

目前記憶體晶片供不應求的原因多方面，包含2023年產業低迷時的資本支出削減、先進製程節點生產交期拉長，以及生成式人工智慧（Generative AI）工作負載導致的記憶體消耗量增加。此波於2024年初啟動的記憶體市場上升週期，其持續時間已超出許多產業觀察家的預期。

這項長期的短缺趨勢也將嘉惠其他主要記憶體供應商。三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK hynix）合計掌控全球動態隨機存取記憶體（DRAM）市場約七成份額，並掌握近半的NAND Flash市場。兩家公司在過去一年中均繳出亮眼財報，且記憶體價格自2023年末低點穩步上揚。其中，三星電子半導體部門在2026年第二季的營業利潤高達6.6兆韓元（約50億美元），創下兩年來新高；SK海力士也已連續三季利潤率增長。

分析師預期，由於供應相對於需求受限，三星電子與SK海力士將維持穩健的定價策略。美光科技的預售庫存以及此長期展望，將支持晶片製造商持續投資於高頻寬記憶體（HBM），例如用於AI加速器的HBM3E等下一代技術與先進封裝。同時，此情勢也為三星電子和SK海力士提供了機會，以彌補先前產業低迷時的損失，並為轉型至更小製程節點提供資金。兩家公司都計畫增加HBM3E的產量，這是一種用於AI加速器的高頻寬記憶體，因其高單價和有限的競爭而備受青睞。

對於電子產品製造商而言，記憶體晶片短缺意味著更高的投入成本和潛在的供貨限制。高度依賴記憶體密集型產品的企業，在供應恢復正常之前，可能需要調整產品定價或接受較低的利潤。